Produktdetaljer
Produkt Tags
Attribut | Værdi |
Fabrikant: | ON Semiconductor |
Produktkategori: | MOSFET |
RoHS: | detaljer |
Teknologi: | Si |
Monteringsstil: | SMD/SMT |
Pakke/etui: | SOT-23-3 |
Transistor polaritet: | N-kanal |
Antal kanaler: | 1 kanal |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Id - Kontinuerlig drænstrøm: | 115 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 7,5 ohm |
Vgs - Gate-Source Spænding: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Minimum driftstemperatur: | -55 C |
Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
Pd - Effekttab: | 300 mW |
Kanaltilstand: | Forbedring |
Emballage: | Klip tape |
Emballage: | Musehjul |
Emballage: | Spole |
Konfiguration: | Enkelt |
Højde: | 0,94 mm |
Længde: | 2,9 mm |
Produkt: | MOSFET lille signal |
Serie: | 2N7002L |
Transistor type: | 1 N-kanal |
Type: | MOSFET |
Bredde: | 1,3 mm |
Mærke: | ON Semiconductor |
Fremadgående transkonduktans - min.: | 80 mS |
Produkttype: | MOSFET |
Fabrikspakkemængde: | 3000 |
Underkategori: | MOSFET'er |
Typisk slukningsforsinkelse: | 40 ns |
Typisk startforsinkelse: | 20 ns |
Enhedsvægt: | 0,000282 oz |
Tidligere: MMBT2222ALT1G NPN 600mA 40V 225mW SOT-23(SOT-23-3) bipolære transistorer – BJT RoHS Næste: MMBT2907ALT1G PNP 600mA 60V 300mW SOT-23(SOT-23-3) bipolære transistorer – BJT RoHS